БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VMO650-01FMOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB IXYS |
2 | - |
|
- |
HiPerFET™ | Y3-DCB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 690A (Tc) | 10V | 1.8mOhm @ 500mA, 10V | 6V @ 130mA | 2300 nC @ 10 V | ±20V | 59000 pF @ 25 V | - | 2500W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Y3-DCB |
|
MMIX1F520N075T2MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
GigaMOS™, TrenchT2™ | 24-PowerSMD, 21 Leads | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 500A (Tc) | 10V | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 5V @ 8mA | 545 nC @ 10 V | ±20V | 41000 pF @ 25 V | - | 830W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 24-SMPD |
|
IXTK17N120LMOSFET N-CH 1200V 17A TO264 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
Linear | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 17A (Tc) | 20V | 900mOhm @ 8.5A, 20V | 5V @ 250µA | 155 nC @ 15 V | ±30V | 8300 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (IXTK) |
.jpg)
|
IXTX22N100LMOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247-3 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
Linear | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 22A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 11A, 20V | 5V @ 250µA | 270 nC @ 15 V | ±30V | 7050 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS247™-3 |
|
IXTP450P2MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PolarP2™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 16A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 8A, 10V | 4.5V @ 250µA | 43 nC @ 10 V | ±30V | 2530 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
IXTH22N50PMOSFET N-CH 500V 22A TO247 IXYS |
20 | - |
|
Таблицы данных |
Polar | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 22A (Tc) | 10V | 270mOhm @ 11A, 10V | 5.5V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±30V | 2630 pF @ 25 V | - | 350W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 (IXTH) |
|
|
IXFX64N50PMOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3 IXYS |
2 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 64A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 32A, 10V | 5.5V @ 8mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 8700 pF @ 25 V | - | 830W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS247™-3 |
|
|
IXFX150N30P3MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 150A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 75A, 10V | 5V @ 8mA | 197 nC @ 10 V | ±20V | 12100 pF @ 25 V | - | 1300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS247™-3 |
|
IXFT320N10T2MOSFET N-CH 100V 320A TO268 IXYS |
3 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, TrenchT2™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 320A (Tc) | 10V | 3.5mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 430 nC @ 10 V | ±20V | 26000 pF @ 25 V | - | 1000W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
IXFN48N60PMOSFET N-CH 600V 40A SOT227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 40A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 4A, 10V | 5.5V @ 8mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 8860 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
