БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFL132N50P3MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264 IXYS |
25 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 63A (Tc) | 10V | 43mOhm @ 66A, 10V | 5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 18600 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
|
|
IXFL210N30P3MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264 IXYS |
13 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 108A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 105A, 10V | 5V @ 8mA | 268 nC @ 10 V | ±20V | 16200 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS264™ |
.jpg)
|
IXFR44N50Q3MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 IXYS |
25 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 25A (Tc) | 10V | 154mOhm @ 22A, 10V | 6.5V @ 4mA | 93 nC @ 10 V | ±30V | 4800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
IXKR40N60CMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 IXYS |
14 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 38A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 25A, 10V | 3.9V @ 3mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | - | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFR64N60Q3MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247 IXYS |
30 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 42A (Tc) | 10V | 104mOhm @ 32A, 10V | 6.5V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±30V | 9930 pF @ 25 V | - | 568W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFR32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 IXYS |
30 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 16A, 10V | 6.5V @ 8mA | 195 nC @ 10 V | ±30V | 9940 pF @ 25 V | - | 570W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFB40N110Q3MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 IXYS |
20 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1100 V | 40A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 20A, 10V | 6.5V @ 8mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 14000 pF @ 25 V | - | 1560W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS264™ |
|
MMIX1F180N25TMOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD IXYS |
18 | - |
|
Таблицы данных |
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | 24-PowerSMD, 21 Leads | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 132A (Tc) | 10V | 13mOhm @ 90A, 10V | 5V @ 8mA | 364 nC @ 10 V | ±20V | 23800 pF @ 25 V | - | 570W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 24-SMPD |
|
|
MMIX1F132N50P3MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD IXYS |
20 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | 24-PowerSMD, 21 Leads | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 63A (Tc) | 10V | 43mOhm @ 66A, 10V | 5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 18600 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 24-SMPD |
|
IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B IXYS |
9 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 40A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 500mA, 10V | 3.9V @ 2.5mA | 250 nC @ 10 V | ±20V | - | - | 290W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
