БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH96N20PMOSFET N-CH 200V 96A TO247AD IXYS |
29 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 96A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 4800 pF @ 25 V | - | 600W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD (IXFH) |
|
IXFT70N20Q3MOSFET N-CH 200V 70A TO268 IXYS |
30 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 70A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 35A, 10V | 6.5V @ 4mA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 3150 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT50N30Q3MOSFET N-CH 300V 50A TO268 IXYS |
30 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 50A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 25A, 10V | 6.5V @ 4mA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 3165 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT30N50Q3MOSFET N-CH 500V 30A TO268 IXYS |
30 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 15A, 10V | 6.5V @ 4mA | 62 nC @ 10 V | ±20V | 3200 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
.jpg)
|
IXFX80N50PMOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3 IXYS |
30 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 80A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 40A, 10V | 5V @ 8mA | 197 nC @ 10 V | ±30V | 12700 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS247™-3 |
|
IXTK140N30PMOSFET N-CH 300V 140A TO264 IXYS |
14 | - |
|
Таблицы данных |
Polar | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 140A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 70A, 10V | 5V @ 500µA | 185 nC @ 10 V | ±20V | 14800 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 (IXTK) |
|
|
IXFX48N60Q3MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3 IXYS |
38 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 48A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 24A, 10V | 6.5V @ 4mA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 7020 pF @ 25 V | - | 1000W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS247™-3 |
|
|
IXFK64N50Q3MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA IXYS |
23 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 64A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 32A, 10V | 6.5V @ 4mA | 145 nC @ 10 V | ±30V | 6950 pF @ 25 V | - | 1000W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK48N60Q3MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA IXYS |
6 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 48A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 24A, 10V | 6.5V @ 4mA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 7020 pF @ 25 V | - | 1000W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXTT60N20L2MOSFET N-CH 200V 60A TO268 IXYS |
33 | - |
|
Таблицы данных |
Linear L2™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 60A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 30A, 10V | 4.5V @ 250µA | 255 nC @ 10 V | ±20V | 10500 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
