БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP75N10PMOSFET N-CH 100V 75A TO220AB IXYS |
5 | - |
|
Таблицы данных |
Polar | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 75A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 250µA | 74 nC @ 10 V | ±20V | 2250 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
IXFT60N50P3MOSFET N-CH 500V 60A TO268 IXYS |
6 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 60A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 4mA | 96 nC @ 10 V | ±30V | 6250 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
IXFT60N65X2HVMOSFET N-CH 650V 60A TO268HV IXYS |
3 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Ultra X2 | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 60A (Tc) | 10V | 52mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 4mA | 108 nC @ 10 V | ±30V | 6300 pF @ 25 V | - | 780W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268HV (IXFT) |
|
IXFJ80N25X3MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3 IXYS |
1 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Ultra X3 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 44A (Tc) | 10V | 18mOhm @ 40A, 10V | 4.5V @ 1.5mA | 83 nC @ 10 V | ±20V | 5430 pF @ 25 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISO TO-247-3 |
|
|
IXFT50N50P3MOSFET N-CH 500V 50A TO268 IXYS |
15 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar3™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 4mA | 85 nC @ 0 V | ±30V | 4335 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
IXFT30N85XHVMOSFET N-CH 850V 30A TO268 IXYS |
6 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Ultra X | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 850 V | 30A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 2.5mA | 68 nC @ 10 V | ±30V | 2460 pF @ 25 V | - | 695W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268HV (IXFT) |
.jpg)
|
IXFR36N50PMOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 IXYS |
22 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 19A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 4mA | 93 nC @ 10 V | ±30V | 5500 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXTT440N055T2MOSFET N-CH 55V 440A TO268 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
TrenchT2™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 440A (Tc) | 10V | 1.8mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 405 nC @ 10 V | ±20V | 25000 pF @ 25 V | - | 1000W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
IXFK102N30PMOSFET N-CH 300V 102A TO264AA IXYS |
5 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Polar | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 102A (Tc) | 10V | 33mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 224 nC @ 10 V | ±20V | 7500 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXTT75N10L2MOSFET N-CH 100V 75A TO268 IXYS |
12 | - |
|
Таблицы данных |
Linear L2™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 75A (Tc) | 10V | 21mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 8100 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
