БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RCJ081N20TLMOSFET N-CH 200V 8A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 8A (Tc) | 10V | 770mOhm @ 4A, 10V | 5.25V @ 1mA | 8.5 nC @ 10 V | ±30V | 330 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
RCJ120N20TLMOSFET N-CH 200V 12A LPTS Rohm Semiconductor |
3 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 12A (Tc) | 10V | 325mOhm @ 6A, 10V | 5.25V @ 1mA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 740 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6004ENJTLMOSFET N-CH 600V 4A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Tc) | 10V | 980mOhm @ 1.5A, 10V | 4V @ 1mA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 250 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
RX3G07CGNC16MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 70A (Tc) | - | 4.7mOhm @ 70A, 10V | 2.5V @ 500µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 2410 pF @ 20 V | - | 78W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
RS1L120GNTBMOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP Rohm Semiconductor |
6 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Ta), 36A (Tc) | 4.5V, 10V | 12.7mOhm @ 12A, 10V | 2.7V @ 200µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1330 pF @ 30 V | - | 3W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSOP |
|
R6015ENXMOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Rohm Semiconductor |
16 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 1mA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 910 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
R6007JND3TL1MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 15V | 780mOhm @ 3.5A, 15V | 7V @ 1mA | 17.5 nC @ 15 V | ±30V | 475 pF @ 100 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
R6030ENXMOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 14.5A, 10V | 4V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | ±30V | 2100 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R6007KNJTLMOSFET N-CH 600V 7A LPTS Rohm Semiconductor |
14 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 620mOhm @ 2.4A, 10V | 5V @ 1mA | 14.5 nC @ 10 V | ±20V | 470 pF @ 25 V | - | 78W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6007ENJTLMOSFET N-CH 600V 7A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 620mOhm @ 2.4A, 10V | 4V @ 1mA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
