БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6E120BGTB130V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.1mOhm @ 90A, 10V | 2.5V @ 1mA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 5750 pF @ 15 V | - | 3W (Ta), 138W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSOP |
|
|
RD3P07BBHTL1NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 70A (Tc) | 6V, 10V | 7.7mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 1mA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 2410 pF @ 50 V | - | 89W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
.jpg)
|
ES6U2T2RMOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1V @ 1mA | 1.8 nC @ 4.5 V | ±10V | 110 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 700mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WEMT |
|
RYE002N05TCLMOSFET N-CH 50V 200MA EMT3 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SC-75, SOT-416 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 50 V | 200mA (Ta) | 0.9V, 4.5V | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 800mV @ 1mA | - | ±8V | 26 pF @ 10 V | - | 150mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | EMT3 |
|
QS5U16TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.9 nC @ 4.5 V | ±12V | 175 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 900mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT5 |
|
QS6U22TRMOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V | 2V @ 1mA | 3 nC @ 4.5 V | ±12V | 270 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
|
QS5U23TRMOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 200mOhm @ 1.5A, 4.5V | 2V @ 1mA | 4.2 nC @ 4.5 V | ±12V | 325 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT5 |
|
US5U2TRMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD (5 Leads), Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.4A (Ta) | 4V, 10V | 240mOhm @ 1.4A, 10V | 2.5V @ 1mA | 2 nC @ 5 V | ±20V | 70 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT5 |
|
|
US5U30TRMOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD (5 Leads), Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 390mOhm @ 1A, 4.5V | 2V @ 1mA | 2.1 nC @ 4.5 V | ±12V | 150 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT5 |
|
|
QS5U21TRMOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 200mOhm @ 1.5A, 4.5V | 2V @ 1mA | 4.2 nC @ 4.5 V | ±12V | 325 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT5 |
