БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RCJ160N20TLMOSFET N-CH 200V 16A LPTS Rohm Semiconductor |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 16A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 8A, 10V | 5.25V @ 1mA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 1370 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6504KNJTLMOSFET N-CH 650V 4A LPTS Rohm Semiconductor |
72 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 4A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 1.5A, 10V | 5V @ 130µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 270 pF @ 25 V | - | 58W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6507KNJTLMOSFET N-CH 650V 7A LPTS Rohm Semiconductor |
80 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 665mOhm @ 2.4A, 10V | 5V @ 200µA | 14.5 nC @ 10 V | ±20V | 470 pF @ 25 V | - | 78W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
R6511ENXC7G650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW Rohm Semiconductor |
40 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Ta) | 10V | 400mOhm @ 3.8A, 10V | 4V @ 320µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF @ 25 V | - | 53W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R6509KNJTLMOSFET N-CH 650V 9A LPTS Rohm Semiconductor |
87 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 9A (Tc) | 10V | 585mOhm @ 2.8A, 10V | 5V @ 230µA | 16.5 nC @ 10 V | ±20V | 540 pF @ 25 V | - | 94W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6511ENJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS Rohm Semiconductor |
90 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 3.8A, 10V | 4V @ 320µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF @ 25 V | - | 124W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6515KNJTLMOSFET N-CH 650V 15A LPTS Rohm Semiconductor |
80 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 315mOhm @ 6.5A, 10V | 5V @ 430µA | 27.5 nC @ 10 V | ±20V | 1050 pF @ 25 V | - | 184W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6520KNJTLMOSFET N-CH 650V 20A LPTS Rohm Semiconductor |
98 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 9.5A, 10V | 5V @ 630µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1550 pF @ 25 V | - | 231W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
R6030ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Rohm Semiconductor |
15 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 14.5A, 10V | 4V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 25 V | - | 305W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
R6042JNZ4C13MOSFET N-CH 600V 42A TO247G Rohm Semiconductor |
96 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 42A (Tc) | 15V | 104mOhm @ 21A, 15V | 7V @ 5.5mA | 100 nC @ 15 V | ±30V | 3500 pF @ 100 V | - | 495W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247G |
