БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSJ400N06TLMOSFET N-CH 60V 40A LPTS Rohm Semiconductor |
53 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 40A (Ta) | 10V | 16mOhm @ 40A, 10V | 3V @ 1mA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 10 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6509ENJTLMOSFET N-CH 650V 9A LPTS Rohm Semiconductor |
88 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 9A (Tc) | 10V | 585mOhm @ 2.8A, 10V | 4V @ 230µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 430 pF @ 25 V | - | 94W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
RCJ450N20TLMOSFET N-CH 200V 45A LPTS Rohm Semiconductor |
57 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 45A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 22.5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 4200 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6511KNJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS Rohm Semiconductor |
90 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 3.8A, 10V | 5V @ 320µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF @ 25 V | - | 124W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6515ENJTLMOSFET N-CH 650V 15A LPTS Rohm Semiconductor |
100 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 315mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 430µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 910 pF @ 25 V | - | 184W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6520ENJTLMOSFET N-CH 650V 20A LPTS Rohm Semiconductor |
100 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 9.5A, 10V | 4V @ 630µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 231W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6524ENJTLMOSFET N-CH 650V 24A LPTS Rohm Semiconductor |
94 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 11.3A, 10V | 4V @ 750µA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 1650 pF @ 25 V | - | 245W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
R6020JNZC8MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Rohm Semiconductor |
30 | - |
|
- |
- | TO-3P-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 15V | 234mOhm @ 10A, 15V | 7V @ 3.5mA | 45 nC @ 15 V | ±30V | 1500 pF @ 100 V | - | 76W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
|
R6030JNZC8MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF Rohm Semiconductor |
29 | - |
|
- |
- | TO-3P-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 15V | 143mOhm @ 15A, 15V | 7V @ 5.5mA | 74 nC @ 15 V | ±30V | 2500 pF @ 100 V | - | 93W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
RQ3E130BNTBMOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 13A, 10V | 2.5V @ 1mA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 15 V | - | 2W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
