БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT8020LLLGMOSFET N-CH 800V 38A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 38A (Tc) | - | 200mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 2.5mA | 195 nC @ 10 V | - | 5200 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT10045B2LLGMOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 11.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 154 nC @ 10 V | ±30V | 4350 pF @ 25 V | - | 565W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT10035LLLGMOSFET N-CH 1000V 28A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 28A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186 nC @ 10 V | ±30V | 5185 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT58M50JMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT20M22JVRMOSFET N-CH 200V 97A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 97A (Tc) | - | 22mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 435 nC @ 10 V | - | 10200 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT10035LFLLGMOSFET N-CH 1000V 28A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 28A (Tc) | - | 370mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186 nC @ 10 V | - | 5185 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT10M11JVRU2MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 142A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 71A, 10V | 4V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 8600 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT10M11JVRU3MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 142A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 71A, 10V | 4V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 8600 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT10035B2FLLGMOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 28A (Tc) | 10V | 370mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186 nC @ 10 V | ±30V | 5185 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT20M22JVRU2MOSFET N-CH 200V 97A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 97A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 48.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 8500 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
