БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT29F80JMOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 31A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 2.5mA | 303 nC @ 10 V | ±30V | 9326 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT22F100JMOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 18A, 10V | - | 305 nC @ 10 V | ±30V | 9835 pF @ 25 V | - | 545W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT5010JLLMOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 41A (Tc) | - | 100mOhm @ 20.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 95 nC @ 10 V | - | 4360 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT12057B2LLGMOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A (Tc) | 10V | 570mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 6200 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
APT50M50L2LLGMOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 89A (Tc) | - | 50mOhm @ 44.5A, 10V | 5V @ 5mA | 200 nC @ 10 V | - | 10550 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 264 MAX™ [L2] |
|
|
APT26M100JCU2MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 26A (Tc) | 10V | 396mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 7868 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT6013JLLMOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 39A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 19.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 5630 pF @ 25 V | - | 460W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT12057B2FLLGMOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 22A (Tc) | 10V | 570mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 185 nC @ 10 V | ±30V | 5155 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT50M85JVRMOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 50A (Tc) | - | 85mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 535 nC @ 10 V | - | 10800 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT8024JLLMOSFET N-CH 800V 29A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 29A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 14.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 160 nC @ 10 V | ±30V | 4670 pF @ 25 V | - | 460W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
