БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT6011B2VRGMOSFET N-CH 600V 49A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 49A (Tc) | - | 110mOhm @ 24.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 450 nC @ 10 V | - | 8900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT20M18B2VFRGMOSFET N-CH 200V 100A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | - | 18mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 2.5mA | 330 nC @ 10 V | - | 9880 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
APT10045LLLGMOSFET N-CH 1000V 23A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | - | 450mOhm @ 11.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 154 nC @ 10 V | - | 4350 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT30M60JMOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 31A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 2.5mA | 215 nC @ 10 V | ±30V | 5890 pF @ 25 V | - | 355W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT1001R6BFLLGMOSFET N-CH 1000V 8A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 8A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 1mA | 55 nC @ 10 V | ±30V | 1320 pF @ 25 V | - | 266W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT10045B2FLLGMOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | - | 460mOhm @ 11.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 154 nC @ 10 V | - | 4350 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT10045LFLLGMOSFET N-CH 1000V 23A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 23A (Tc) | - | 460mOhm @ 11.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 154 nC @ 10 V | - | 4350 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT6010B2LLGMOSFET N-CH 600V 54A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 54A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 27A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 6710 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT38F50JMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 38A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 220 nC @ 10 V | ±30V | 8800 pF @ 25 V | - | 355W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT8024LFLLGMOSFET N-CH 800V 31A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 31A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 15.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 160 nC @ 10 V | ±30V | 4670 pF @ 25 V | - | 565W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
