БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT26F120B2MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 27A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ |
|
APT26F120LMOSFET N-CH 1200V 27A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 27A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT50M65LLLGMOSFET N-CH 500V 67A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 33.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT1201R5BVFRGMOSFET N-CH 1200V 10A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 10A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 285 nC @ 10 V | - | 4440 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT50M65B2FLLGMOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 33.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT50M65LFLLGMOSFET N-CH 500V 67A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 67A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 33.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 141 nC @ 10 V | ±30V | 7010 pF @ 25 V | - | 694W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT38M50JMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 38A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 28A, 10V | 5V @ 2.5mA | 220 nC @ 10 V | ±30V | 8800 pF @ 25 V | - | 357W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT30F60JMOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 31A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 2.5mA | 215 nC @ 10 V | ±30V | 8590 pF @ 25 V | - | 355W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT30M36LLLGMOSFET N-CH 300V 84A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 84A (Tc) | - | 36mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 115 nC @ 10 V | - | 6480 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT51M50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 51A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 11600 pF @ 25 V | - | 480W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
