БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT37M100B2MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 37A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 9835 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT44F80B2MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 47A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 9330 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
APT20M22LVFRGMOSFET N-CH 200V 100A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 435 nC @ 10 V | ±30V | 10200 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT6015LVFRGMOSFET N-CH 600V 38A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 38A (Tc) | - | 150mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 475 nC @ 10 V | - | 9000 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT1201R4BFLLGMOSFET N-CH 1200V 9A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 9A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 4.5A, 10V | 5V @ 1mA | 75 nC @ 10 V | ±30V | 2030 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT8030LVRGMOSFET N-CH 800V 27A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 27A (Tc) | - | 300mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 510 nC @ 10 V | - | 7900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT34F100B2MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 35A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 9835 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT34F100LMOSFET N-CH 1000V 35A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 35A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 9835 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT50M75B2FLLGMOSFET N-CH 500V 57A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 57A (Tc) | - | 75mOhm @ 28.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 125 nC @ 10 V | - | 5590 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT84F50B2MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 84A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
