БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDZ299PMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Fairchild Semiconductor |
9,000 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 9-WFBGA | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.6A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 55mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 9 nC @ 4.5 V | ±12V | 742 pF @ 10 V | - | 1.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 9-BGA (2x2.1) |
|
SFU9210TUP-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
4,740 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 1.6A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 800mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±30V | 285 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 19W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
HUF76619D3SMOSFET N-CH 100V 18A TO252AA Fairchild Semiconductor |
4,657 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 18A (Tc) | 4.5V, 10V | 85mOhm @ 18A, 10V | 3V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±16V | 767 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQPF2N30MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F Fairchild Semiconductor |
4,057 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 1.34A (Tc) | 10V | 3.7Ohm @ 670mA, 10V | 5V @ 250µA | 5 nC @ 10 V | ±30V | 130 pF @ 25 V | - | 16W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
FQPF3P20MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F Fairchild Semiconductor |
4,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.2A (Tc) | 10V | 2.7Ohm @ 1.1A, 10V | 5V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 32W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
FQI7N10LTUMOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK Fairchild Semiconductor |
4,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 7.3A (Tc) | 5V, 10V | 350mOhm @ 3.65A, 10V | 2V @ 250µA | 6 nC @ 5 V | ±20V | 290 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
IRFR9110TF100V P-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 3.1A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 nC @ 10 V | ±20V | 290 pF @ 25 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
FQT4N20TFMOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 Fairchild Semiconductor |
2,363 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-261-4, TO-261AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 850mA (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 425mA, 10V | 5V @ 250µA | 6.5 nC @ 10 V | ±30V | 220 pF @ 25 V | - | 2.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-4 |
|
|
FQD3N30TFMOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK Fairchild Semiconductor |
1,970 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 2.4A (Tc) | 10V | 2.2Ohm @ 1.2A, 10V | 5V @ 250µA | 7 nC @ 10 V | ±30V | 230 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
SSU2N60BTUN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,869 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.8A (Tc) | 10V | 5Ohm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 490 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
