БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB7N10TMMOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK Fairchild Semiconductor |
1,503 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 7.3A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 3.65A, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 nC @ 10 V | ±25V | 250 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FQP9N15MOSFET N-CH 150V 9A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
1,418 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 9A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 13 nC @ 10 V | ±25V | 410 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FQD3N40TMMOSFET N-CH 400V 2A DPAK Fairchild Semiconductor |
1,367 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 2A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 7.5 nC @ 10 V | ±30V | 230 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
73,954 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 62A (Tc) | 4.5V, 10V | 10mOhm @ 62A, 10A | 3V @ 250µA | 48 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF @ 15 V | - | 70W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
72,500 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 5.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 50mOhm @ 5.5A, 10V | 3V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 325 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
ISL9N308AD3N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
55,575 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 2600 pF @ 15 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
FDU8878MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK Fairchild Semiconductor |
41,569 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta), 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 15mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 880 pF @ 15 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NDB603ALMOSFET N-CH 30V 25A D2PAK Fairchild Semiconductor |
30,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 25A (Tc) | 4.5V, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 15 V | - | 50W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDFMJ2P023ZMOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF Fairchild Semiconductor |
29,990 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 6-WFDFN Exposed Pad | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.9A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 112mOhm @ 2.9A, 4.5V | 1V @ 250µA | 6.5 nC @ 4.5 V | ±8V | 400 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.4W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-75, MicroFET |
|
NTMFS4936NCT1G11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE Fairchild Semiconductor |
10,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11.6A (Ta), 79A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.8mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 3044 pF @ 15 V | - | 920mW (Ta), 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
