БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDZ202PMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA Fairchild Semiconductor |
138,547 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 12-WFBGA | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 45mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±12V | 884 pF @ 10 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 12-BGA (2x2.5) |
|
ISL9N312AD3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
136,310 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 12mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1450 pF @ 15 V | - | 75W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
FDZ493PMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Fairchild Semiconductor |
45,000 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 9-WFBGA | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.6A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 46mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±12V | 754 pF @ 10 V | - | 1.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 9-BGA (1.55x1.55) |
|
FDFME2P823ZT2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
40,000 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 6-UFDFN Exposed Pad | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.6A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V | 1V @ 250µA | 7.7 nC @ 4.5 V | ±8V | 405 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.4W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
|
IRFS730BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
23,487 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 5.5A (Tj) | 10V | 1Ohm @ 2.75A, 10V | 4V @ 250µA | 33 nC @ 10 V | ±30V | 1000 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDMC4436BZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Fairchild Semiconductor |
23,228 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
FQPF4N20MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F Fairchild Semiconductor |
15,902 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.8A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V | 5V @ 250µA | 6.5 nC @ 10 V | ±30V | 220 pF @ 25 V | - | 27W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
HUFA76413D3SMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA Fairchild Semiconductor |
8,243 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 49mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±16V | 645 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
IRFS254BFP001N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
7,200 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 16A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 123 nC @ 10 V | ±30V | 3400 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
IRFM210BTFN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
7,025 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-261-4, TO-261AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 770mA (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 390mA, 10V | 4V @ 250µA | 9.3 nC @ 10 V | ±30V | 225 pF @ 25 V | - | 2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-4 |
