БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT6010JLLMOSFET N-CH 600V 47A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 47A (Tc) | - | 100mOhm @ 23.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 150 nC @ 10 V | - | 6710 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT30M30JLLMOSFET N-CH 300V 88A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 88A (Tc) | - | 30mOhm @ 44A, 10V | 5V @ 2.5mA | 140 nC @ 10 V | - | 7030 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT26M100JCU3MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 26A (Tc) | 10V | 396mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 2.5mA | 305 nC @ 10 V | ±30V | 7868 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT5010JFLLMOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 41A (Tc) | - | 100mOhm @ 20.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 95 nC @ 10 V | - | 4360 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT50N60JCCU2MOSFET N-CH 600V 50A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 50A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 22.5A, 10V | 3.9V @ 3mA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 6800 pF @ 25 V | - | 290W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT6013JFLLMOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 39A (Tc) | - | 130mOhm @ 19.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 130 nC @ 10 V | - | 5630 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT30M40JVFRMOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 70A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 425 nC @ 10 V | ±30V | 10200 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT10050JVFRMOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 19A (Tc) | - | 500mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 2.5mA | 500 nC @ 10 V | - | 7900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT20M120JCU2MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 20A (Tc) | 10V | 672mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 7736 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT20M120JCU3MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 20A (Tc) | 10V | 672mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 7736 pF @ 25 V | - | 543W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
