БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFAG20N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier |
1,122 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 1.3A | - | - | - | - | - | - | - | 50W | - | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
AUIRFS4010-7TRLMOSFET N-CH 100V 180A TO263 International Rectifier |
666 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | - | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK-7 |
|
IRFF9231MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF International Rectifier |
824 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-205AF Metal Can | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 4A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | 25W | - | - | - | Through Hole | TO-205AF (TO-39) |
|
AUIRFP2907AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL International Rectifier |
8,540 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 90A (Tc) | 10V | 4.5mOhm @ 125A, 10V | 4V @ 250µA | 620 nC @ 10 V | ±20V | 13000 pF @ 25 V | - | 470W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
IRF9230200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA International Rectifier |
10,200 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 6.5A (Tc) | 10V | 940mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
|
IRFAC30N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier |
427 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.6A (Tc) | 10V | 2.5Ohm @ 3.6A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 630 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
|
IRF9133AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE International Rectifier |
200 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 10A | - | - | - | - | - | - | - | 88W | - | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
|
IRF9240HEXFET POWER MOSFET International Rectifier |
6,174 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 11A (Tc) | 10V | 580mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
|
IRFAF40N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier |
934 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 4.3A (Tc) | 10V | 2.9Ohm @ 4.3A, 10V | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
|
IRFAF50N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier |
644 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 6.2A (Tc) | 10V | 1.85Ohm @ 6.2A, 10V | 4V @ 250µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 2700 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
