БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF432HEXFET POWER MOSFETS International Rectifier |
1,192 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4A | - | - | - | - | - | - | - | 75W | - | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
AUIRFR4104TRLAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL International Rectifier |
3,907 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | - | 5.5mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 89 nC @ 10 V | - | 2950 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
IRFPC423.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL International Rectifier |
5,701 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5.9A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 3.7A, 10V | 4V @ 250µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC (TO-3P) |
|
|
AUIRFS8408TRRMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK International Rectifier |
490 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | - | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 nC @ 10 V | ±20V | 10820 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK |
|
|
AUIRFS8408AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL International Rectifier |
268 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 nC @ 10 V | ±20V | 10820 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRF2807AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL International Rectifier |
6,552 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 75A (Tc) | 10V | 13mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 3820 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
IRF60DM206IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER International Rectifier |
40,373 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | DirectFET™ Isometric ME | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 130A (Tc) | 6V, 10V | 2.9mOhm @ 80A, 10V | 3.7V @ 150µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 6530 pF @ 25 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric ME |
|
AUIRFB4410-IRAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL International Rectifier |
1,152 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 75A (Tc) | 10V | 10mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 1.037mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5150 pF @ 50 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-904 |
|
|
AUIRFS8403TRRMOSFET N-CH 40V 123A D2PAK International Rectifier |
800 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 123A (Tc) | - | 3.3mOhm @ 70A, 10V | 3.9V @ 100µA | 93 nC @ 10 V | ±20V | 3183 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRL3705NAUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL International Rectifier |
22,792 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 89A (Tc) | - | 10mOhm @ 46A, 10V | 2V @ 250µA | 98 nC @ 5 V | - | 3600 pF @ 25 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
