БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU7746PBFTRENCH 40<-<100V International Rectifier |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 56A (Tc) | 6V, 10V | 11.2mOhm @ 35A, 10V | 3.7V @ 100µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 3107 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
IRFH7934TRPBFMOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN International Rectifier |
4,649 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerTDFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Ta), 76A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.5mOhm @ 24A, 10V | 2.35V @ 50µA | 30 nC @ 4.5 V | ±20V | 3100 pF @ 15 V | - | 3.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
AUIRFU8401MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK International Rectifier |
8,142 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 4.25mOhm @ 60A, 10V | 3.9V @ 500µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
IRF7470TRPBFIRF7470 - 12V-300V N-CHANNEL POW International Rectifier |
1,278 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 10A (Ta) | 2.8V, 10V | 13mOhm @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 44 nC @ 4.5 V | ±12V | 3430 pF @ 20 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
;;3.jpg)
|
IRFU7440PBFIRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO International Rectifier |
73,213 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 90A (Tc) | 6V, 10V | 2.4mOhm @ 90A, 10V | 3.9V @ 100µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 4610 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
|
AUIRFU4292MOSFET_(120V,300V) International Rectifier |
18,000 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 9.3A (Tc) | 10V | 345mOhm @ 5.6A, 10V | 5V @ 50µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 705 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
AUIRFR2905ZAUIRFR2905Z - 55V-60V N-CHANNEL International Rectifier |
3,461 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 10V | 14.5mOhm @ 36A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1380 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
AUIRFR4292MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK International Rectifier |
2,435 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 9.3A (Tc) | 10V | 345mOhm @ 5.6A, 10V | 5V @ 50µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 705 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
IRF6637TRPBFMOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT International Rectifier |
23,085 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MP | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta), 59A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.7mOhm @ 14A, 10V | 2.35V @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1330 pF @ 15 V | - | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MP |
|
|
AUIRLR2703TRLMOSFET N-CH 30V 20A DPAK International Rectifier |
2,099 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 20A (Tc) | - | 45mOhm @ 14A, 10V | 1V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | - | 450 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
