Что такое упаковка

Полупроводниковая упаковка представляет собой корпус, который объединяет и защищает полупроводниковые компоненты или интегральные схемы, изготовленные из металла, пластика, стекла или керамики.

Какое максимальное выходное напряжение

Максимальное выходное напряжение относится к динамической зоне, за пределами которой выход насыщен в положительном или отрицательном направлении и ограничен в соответствии со значением сопротивления нагрузке.

Что такое шаг между выводами

Расстояние от одного полюса до другого.

Что такое терминальная форма

Образуя или образуя конец серии, последовательности или тому подобное; - закрытие; - в заключение.

Что такое дополнительная функция?

Любая функция, включая модифицированную существующую функцию, которая не является существующей функцией.

Домой > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-GE3

Name: SI3458BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3458BDV-T1-GE3
Price: 2.40 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

Сравнение

Номер запчасти.:: SI3458BDV-T1-GE3

Производитель:: Vishay Siliconix

Категория:: FET, MOSFET

Пакет:: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Таблицы данных:: SI3458BDV-T1-GE3.pdf

Описание:: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP

Количество:: RFQ Добавить в список запросов Купить сразу Добавить в корзину

Стоимость единицы:$0

Внешние цены:$0

Платежи:

Корабли:

Подробная информация о продукции

Спецификация
Часто задаваемые вопросы
Сравнение

Свойства продукта: Значение атрибута

Производитель:: Vishay Siliconix

Серия:: TrenchFET®

Корпус/корпус:: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Упаковка:: Tape & Reel (TR)

Состояние продукта:: Last Time Buy

Тип полевого транзистора:: N-Channel

Технология:: MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение сток-исток (Vdss):: 60 V

Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C:: 4.1A (Tc)

Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On):: 4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:: 100mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Макс.) @ Id:: 3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:: 11 nC @ 10 V

Vgs (макс.):: ±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds:: 350 pF @ 30 V

Характеристика FET:: -

Рассеиваемая мощность (макс.):: 2W (Ta), 3.3W (Tc)

Рабочая температура:: -55°C ~ 150°C (TJ)

Марка:: -

Квалификация:: -

Тип крепления:: Surface Mount

Устройство поставщика Упаковка:: 6-TSOP

Таблицы данных:: SI3458BDV-T1-GE3.pdf

1. Как заказать SI3458BDV-T1-GE3 на Эсисол текнолоджи лимитед?

На данный момент Эсисол текнолоджи лимитед предоставляет только прямую обработку заказов. При отправке запроса на предложение (RFQ) наш профессиональный агент свяжется с вами и предложит конкурентоспособные цены на мировом рынке, а также поможет завершить заказ, если вы примете наше предложение.

2. Как Эсисол текнолоджи лимитед гарантирует, что SI3458BDV-T1-GE3 поступает от оригинального производителя или авторизованных агентов?

У нас есть профессиональная и опытная команда контроля качества, которая строго проверяет и тестирует SI3458BDV-T1-GE3. Все поставщики должны пройти нашу квалификационную проверку, прежде чем они смогут разместить свою продукцию, включая SI3458BDV-T1-GE3, на Эсисол текнолоджи лимитед; мы уделяем больше внимания каналам поставок и качеству продукции SI3458BDV-T1-GE3, чем любая другая компания. Мы строго проводим аудиты поставщиков, чтобы вы могли покупать с уверенностью.

3. Являются ли цена и наличие SI3458BDV-T1-GE3 точными?

Цена и наличие SI3458BDV-T1-GE3 часто изменяются и не могут обновляться мгновенно. Они обновляются периодически в течение 24 часов. Также наша цена обычно действительна в течение 5 дней.

4. Какие формы оплаты принимаются?

Принимаются банковский перевод, PayPal, Alipay, Wechat, кредитные карты, Western Union, MoneyGram и Escrow.

Совет: некоторые заказы при определенных формах оплаты могут требовать оплаты за обработку.

5. Как организована доставка?

Клиенты могут выбирать ведущие транспортные компании, такие как DHL, UPS, FedEx, TNT и зарегистрированную почту. Также доступно страхование доставки.

Как только ваш заказ будет обработан для отправки, наш менеджер отправит вам письмо с информацией о статусе доставки и номером отслеживания.

Совет: для отображения информации о доставке может потребоваться до 24 часов. Обычно экспресс-доставка занимает 3-5 дней, а зарегистрированная почта — от 25 до 60 дней.

6. Как осуществляется возврат или замена SI3458BDV-T1-GE3?

Все товары проходят предварительную инспекцию перед отправкой (PSI), при которой случайным образом выбираются товары из всех партий вашего заказа для системной проверки перед отправкой. Если с доставленным SI3458BDV-T1-GE3 возникли проблемы, мы примем возврат или замену SI3458BDV-T1-GE3 только при выполнении всех ниже перечисленных условий:

(1) Например, дефицит количества, неправильная доставка товаров или явные внешние дефекты (повреждения, ржавчина и т. д.), и мы признаем эти проблемы.

(2) Мы должны быть уведомлены о дефекте в течение 90 дней после доставки SI3458BDV-T1-GE3.

(3) Части не использованы и находятся в оригинальной нераспакованной упаковке.

Процесс возврата товаров:

(1) Уведомление о проблеме в течение 90 дней.

(2) Получение разрешения на возврат товара.

7. Как связаться с нами для получения технической поддержки, например, схемы выводов SI3458BDV-T1-GE3, datasheet SI3458BDV-T1-GE3?

Если вам нужна послепродажная поддержка, не стесняйтесь связаться с нами.

Образ
Номер запчасти	SI3458BDV-T1-GE3	SI3458BDV-T1-E3	SI3458BDV-T1-BE3
Производитель	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
Корпус/корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Состояние продукта	Last Time Buy	Last Time Buy	Last Time Buy
Тип полевого транзистора	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V	60 V	60 V
Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)	4.1A (Tc)	4.1A (Tc)
Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3.2A, 10V	100mOhm @ 3.2A, 10V	100mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс.) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	11 nC @ 10 V	11 nC @ 10 V	11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±20V	±20V	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	350 pF @ 30 V	350 pF @ 30 V	350 pF @ 30 V
Характеристика FET	-	-	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 3.3W (Tc)	2W (Ta), 3.3W (Tc)	2W (Ta), 3.3W (Tc)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Марка	-	-	-
Квалификация	-	-	-
Тип крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Устройство поставщика Упаковка	6-TSOP	6-TSOP	6-TSOP