БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC7001BCGAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B EPC Space, LLC |
146 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
EPC7002ACGAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A EPC Space, LLC |
89 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
EPC7007BSHGAN FET HEMT 200V 18A 4UB EPC Space, LLC |
50 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN®, FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 5V | 28mOhm @ 18A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 900 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
EPC7001BSHGAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
50 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
EPC7002ASHGAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
50 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
EPC7019GCGAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB EPC Space, LLC |
25 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 80A (Tc) | 5V | 4mOhm @ 50A, 5V | 2.5V @ 18mA | - | +6V, -4V | 2830 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
|
|
EPC7018GCGAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB EPC Space, LLC |
2 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6mOhm @ 40A, 5V | 2.5V @ 12mA | 11.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1240 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
|
|
EPC7018GSHGAN FET HEMT 100V 90A 5UB EPC Space, LLC |
10 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6mOhm @ 40A, 5V | 2.5V @ 12mA | 11.7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1240 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
|
|
EPC7014UBSHGAN FET HEMT 60V 1A 4UB EPC Space, LLC |
11 | - |
|
Таблицы данных |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 60 V | 1A (Tc) | 5V | 580mOhm @ 1A, 5V | 2.5V @ 140µA | - | - | 22 pF @ 30 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
FBG04N30BSHGAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
13 | - |
|
Таблицы данных |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 30A (Tc) | 5V | 9mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 9mA | 11.4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1300 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
