БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg)
|
FBG04N30BCGAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B EPC Space, LLC |
141 | - |
|
Таблицы данных |
FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 30A (Tc) | 5V | 9mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 9mA | 11.4 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1300 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
EPC7003ACGAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB EPC Space, LLC |
138 | - |
|
Таблицы данных |
- | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 10A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 10A, 5V | 2.5V @ 1.4mA | 1.5 nC @ 5 V | +6V, -4V | 168 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
.jpg)
|
FBG30N04CCGAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C EPC Space, LLC |
165 | - |
|
Таблицы данных |
- | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 300 V | 4A (Tc) | 5V | 404mOhm @ 4A, 5V | 2.8V @ 600µA | 2.6 nC @ 5 V | +6V, -4V | 450 pF @ 150 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
FBG20N18BSHGAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
47 | - |
|
Таблицы данных |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 18A (Tc) | 5V | 28mOhm @ 18A, 5V | 2.5V @ 3mA | 7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 900 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
FBG10N30BSHGAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B EPC Space, LLC |
40 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 12mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 5mA | 11 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1000 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
CDA04N30X1CGANFET 40V 30A .004 OHM 4DAPT EPC Space, LLC |
88 | - |
|
- |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
CDA10N30X1CGANFET 100V 30A .009 OHM 4DAPT EPC Space, LLC |
100 | - |
|
- |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
CDA10N05X2CGANFET 100V 5A .030 OHM 4DAPT EPC Space, LLC |
100 | - |
|
- |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
CDA20N18X3CGANFET 200V 18A .025 OHM 4DAPT EPC Space, LLC |
64 | - |
|
- |
- | - | Tray | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
EPC7004BCGAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B EPC Space, LLC |
41 | - |
|
Таблицы данных |
- | 4-SMD, No Lead | Tray | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 13mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 7 nC @ 5 V | +6V, -4V | 797 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
