БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SSP2N60BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
322,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2A (Tc) | 10V | 5Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 490 pF @ 25 V | - | 54W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
FDFC2P100MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6 Fairchild Semiconductor |
115,946 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 150mOhm @ 3A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.7 nC @ 10 V | ±12V | 445 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-6 |
|
FDG312PMOSFET P-CH 20V 1.2A SC88 Fairchild Semiconductor |
82,077 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 180mOhm @ 1.2A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 5 nC @ 4.5 V | ±8V | 330 pF @ 10 V | - | 750mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-88 (SC-70-6) |
|
NDS335NMOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Fairchild Semiconductor |
64,643 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.7A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 110mOhm @ 1.7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 9 nC @ 4.5 V | 8V | 240 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
|
IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
46,499 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 2.8A (Tj) | 10V | 2Ohm @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 10.5 nC @ 10 V | ±30V | 275 pF @ 25 V | - | 22W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
FDN363NN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
42,602 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1A (Tc) | 6V, 10V | 240mOhm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 5.2 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 500mW (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-3 |
|
|
IRF710BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
29,593 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 2A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±30V | 330 pF @ 25 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
SI3456DVSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
13,529 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 5.1A (Ta) | 4.5V, 10V | 45mOhm @ 5.1A, 10V | 2V @ 250µA | 12.6 nC @ 10 V | ±20V | 463 pF @ 15 V | - | 800mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-6 |
|
|
NDC631NMOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6 Fairchild Semiconductor |
11,785 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.1A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 60mOhm @ 4.1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 14 nC @ 4.5 V | 8V | 365 pF @ 10 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-6 |
|
IRFW720BTMNLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
11,200 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 3.3A (Tc) | 10V | 1.75Ohm @ 1.65A, 10V | 4V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±30V | 600 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 49W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
