БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD6632MOSFET N-CH 30V 9A DPAK Fairchild Semiconductor |
17,099 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Tc) | 4.5V, 10V | 70mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 4 nC @ 5 V | ±20V | 255 pF @ 15 V | - | 15W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
SSS1N60BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,684 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1A (Tj) | 10V | 12Ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 215 pF @ 25 V | - | 17W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
IRFI624BTUFP001N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 4.1A (Tc) | 10V | 1.1Ohm @ 2.05A, 10V | 4V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±30V | 450 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 49W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
FDN372SMOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3 Fairchild Semiconductor |
105,449 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.6A (Ta) | 4.5V, 10V | 40mOhm @ 2.6A, 10V | 3V @ 1mA | 8.1 nC @ 5 V | ±16V | 630 pF @ 15 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 |
|
FDME0106NZTSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
21,625 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 6-PowerUFDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 9A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 18mOhm @ 9A, 4.5V | 1V @ 250µA | 8.5 nC @ 4.5 V | ±12V | 865 pF @ 10 V | - | 700mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
|
SI3447DVP-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,999 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 33mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 30 nC @ 4.5 V | ±8V | 1926 pF @ 10 V | - | 800mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-6 |
|
SSP1N60BN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,644 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1A (Tc) | 10V | 12Ohm @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 215 pF @ 25 V | - | 34W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
IRLI610ATUMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK Fairchild Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 3.3A (Tc) | 5V | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V | 2V @ 250µA | 9 nC @ 5 V | ±20V | 240 pF @ 25 V | - | 3.1W (Ta), 33W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
FDC654PSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor |
994,719 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3.6A (Ta) | 4.5V, 10V | 75mOhm @ 3.6A, 10V | 3V @ 250µA | 9 nC @ 10 V | ±20V | 298 pF @ 15 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SuperSOT™-6 |
|
FDG329NMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 Fairchild Semiconductor |
368,160 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.6 nC @ 4.5 V | ±12V | 324 pF @ 10 V | - | 420mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SC-88 (SC-70-6) |
