БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD19506KTTMOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Texas Instruments |
975 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 200A (Ta) | 6V, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 3.2V @ 250µA | 156 nC @ 10 V | ±20V | 12200 pF @ 40 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (DDPAK-3) |
|
|
CSD19506KTTTMOSFET N-CH 80V 200A DDPAK Texas Instruments |
700 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 200A (Ta) | 6V, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 3.2V @ 250µA | 156 nC @ 10 V | ±20V | 12200 pF @ 40 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (DDPAK-3) |
|
CSD17552Q5AMOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON Texas Instruments |
4,925 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 17A (Ta), 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.2mOhm @ 15A, 10V | 1.9V @ 250µA | 12 nC @ 4.5 V | ±20V | 2050 pF @ 15 V | - | 3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
CSD25202W15TMOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA Texas Instruments |
1,450 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 9-UFBGA, DSBGA | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 26mOhm @ 2A, 4.5V | 1.05V @ 250µA | 7.5 nC @ 4.5 V | -6V | 1010 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 9-DSBGA |
|
CSD17579Q3ATMOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Texas Instruments |
4,869 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 20A (Ta) | 4.5V, 10V | 10.2mOhm @ 8A, 10V | 1.9V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 998 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta), 29W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (3x3.3) |
|
|
CSD16321Q5T25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS Texas Instruments |
530 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 29A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2.4mOhm @ 25A, 8V | 1.4V @ 250µA | 19 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 3100 pF @ 12.5 V | - | 3.1W (Ta), 113W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSON-CLIP (5x6) |
|
|
CSD17578Q5ATMOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Texas Instruments |
1,413 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 25A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.9mOhm @ 10A, 10V | 1.9V @ 250µA | 22.3 nC @ 10 V | ±20V | 1510 pF @ 15 V | - | 3.1W (Ta), 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
.jpg)
|
CSD16340Q3TMOSFET N-CH 25V 60A 8VSON Texas Instruments |
2,623 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 60A (Tc) | 2.5V, 8V | 4.5mOhm @ 20A, 8V | 1.1V @ 250µA | 9.2 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1350 pF @ 12.5 V | - | 3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
|
|
CSD17576Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Texas Instruments |
477 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 100A (Ta) | 4.5V, 10V | 2mOhm @ 25A, 10V | 1.8V @ 250µA | 32 nC @ 4.5 V | ±20V | 4430 pF @ 15 V | - | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
|
CSD17301Q5AMOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON Texas Instruments |
13,359 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28A (Ta), 100A (Tc) | 3V, 8V | 2.6mOhm @ 25A, 8V | 1.55V @ 250µA | 25 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 3480 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
