БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW62NM60NMOSFET N-CH 600V 65A TO247 STMicroelectronics |
10 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 65A (Tc) | 10V | 49mOhm @ 32.5A, 10V | 4V @ 250µA | 174 nC @ 10 V | ±25V | 5800 pF @ 100 V | - | 450W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STW57N65M5-4MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L STMicroelectronics |
33 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 42A (Tc) | 10V | 63mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 250µA | 98 nC @ 10 V | ±25V | 4200 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4L |
|
STWA63N65DM2MOSFET N-CH 650V 60A TO247 STMicroelectronics |
37 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 60A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±25V | 5500 pF @ 100 V | - | 446W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
|
SCT20N120AGSICFET N-CH 1200V 20A HIP247 STMicroelectronics |
43 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 20A (Tc) | 20V | 239mOhm @ 10A, 20V | 3.5V @ 1mA | 45 nC @ 20 V | +25V, -10V | 650 pF @ 400 V | - | 153W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | HiP247™ |
;;2.jpg)
|
STDLED656MOSFET N-CH 650V 6A DPAK STMicroelectronics |
969 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 6A (Tc) | 10V | 1.3Ohm @ 2.7A, 10V | 4.5V @ 50µA | 34 nC @ 10 V | ±30V | 895 pF @ 100 V | - | 70W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STN1NK80ZMOSFET N-CH 800V 250MA SOT223 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 250mA (Tc) | 10V | 16Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 50µA | 7.7 nC @ 10 V | ±30V | 160 pF @ 25 V | - | 2.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
|
STD5N95K5MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 3.5A (Tc) | 10V | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | 5V @ 100µA | 12.5 nC @ 10 V | ±30V | 220 pF @ 100 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STD12NF06L-1MOSFET N-CH 60V 12A IPAK STMicroelectronics |
2 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 5V, 10V | 100mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 10 nC @ 5 V | ±16V | 350 pF @ 25 V | - | 42.8W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
STD9N40M2MOSFET N-CH 400V 6A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 6A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 8.8 nC @ 10 V | ±25V | 270 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STD2N95K5MOSFET N-CH 950V 2A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 2A (Tc) | 10V | 5Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 10 nC @ 10 V | 30V | 105 pF @ 100 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
