БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB8NM60DMOSFET N-CH 600V 8A D2PAK STMicroelectronics |
48 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 8A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±30V | 380 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STI6N95K5NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET STMicroelectronics |
980 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 9A (Tc) | 10V | 1.25Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 100µA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 450 pF @ 100 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
STF45N10F7MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP STMicroelectronics |
42 | - |
|
- |
DeepGATE™, STripFET™ VII | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 30A (Tc) | 10V | 18mOhm @ 15A, 10V | 4.5V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | 20V | 1640 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STF7N80K5MOSFET N CH 800V 6A TO220FP STMicroelectronics |
364 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH5™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 100µA | 13.4 nC @ 10 V | ±30V | 360 pF @ 100 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STI10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A I2PAK STMicroelectronics |
970 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 550mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±25V | 540 pF @ 50 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
STP11NM65NMOSFET N-CH 650V 11A TO-220 STMicroelectronics |
334 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 455mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±25V | 800 pF @ 50 V | - | 110W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STF10NM60NDMOSFET N-CH 600V 8A TO220FP STMicroelectronics |
378 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 8A (Tc) | 10V | 550mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±25V | 540 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STI45N10F7MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK STMicroelectronics |
630 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VII | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 45A (Tc) | 10V | 18mOhm @ 22.5A, 10V | 4.5V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 1640 pF @ 50 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
STFH18N60M2MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP STMicroelectronics |
321 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 21.5 nC @ 10 V | ±25V | 791 pF @ 100 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STV160NF03LT4MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO STMicroelectronics |
87 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 160A (Tc) | 5V, 10V | 2.8mOhm @ 80A, 10V | 1V @ 250µA | 140 nC @ 10 V | ±15V | 4700 pF @ 25 V | - | 210W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PowerSO |
