БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STLD257N4F7AGDISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
STripFET™ F7 | 8-PowerWDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 6.5V, 10V | 1.1mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 66.5 nC @ 10 V | ±20V | 5400 pF @ 25 V | - | 158W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) Dual Side |
|
STP260N6F6MOSFET N-CH 60V 120A TO220 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 183 nC @ 10 V | ±20V | 11400 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STB70NF3LLT4MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
STripFET™ II | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 70A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.5mOhm @ 35A, 10V | 1V @ 250µA | 33 nC @ 4.5 V | ±16V | 1650 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
STL28N60DM2MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | - | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 21A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 10.5A, 10V | 5V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±25V | 1500 pF @ 100 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (8x8) HV |
|
|
STP180NS04ZCMOSFET N-CH 33V 120A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SAFeFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 33 V | 120A (Tc) | 10V | 4.2mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 1mA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 4560 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STB100NF03L-03-1MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ III | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.2mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 nC @ 5 V | ±16V | 6200 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STB13NM50N-1MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 320mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 960 pF @ 50 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STB80NF03L-04-1MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4mOhm @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 110 nC @ 4.5 V | ±20V | 5500 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -60°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STB16PF06LT4MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 16A (Tc) | 5V, 10V | 125mOhm @ 8A, 10V | 1.5V @ 100µA | 15.5 nC @ 4.5 V | ±16V | 630 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
STB160NF3LLT4MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ III | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 1V @ 250µA | 110 nC @ 4.5 V | ±16V | 5500 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | D2PAK |
