БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP10NM65NMOSFET N-CH 650V 9A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 9A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 850 pF @ 50 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STI12NM50NMOSFET N-CH 500V 11A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 940 pF @ 50 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STP13NM50NMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 12A (Tc) | 10V | 320mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 960 pF @ 50 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STB200NF04L-1MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 5V, 10V | 3.8mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 90 nC @ 4.5 V | ±16V | 6400 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STB11NM60N-1MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±25V | 850 pF @ 50 V | - | 90W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STI11NM60NDMOSFET N-CH 600V 10A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 850 pF @ 50 V | - | 90W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
|
STP200NF04MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 3.7mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STP75N20MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 75A (Tc) | 10V | 34mOhm @ 37A, 10V | 4V @ 250µA | 84 nC @ 10 V | ±20V | 3260 pF @ 25 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STF10NM65NMOSFET N-CH 650V 9A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 9A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 850 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STF13NM60N-HMOSFET N-CH 600V 11A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 790 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
