БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;2.jpg)
|
STD12NF06LT4MOSFET N-CH 60V 12A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 5V, 10V | 100mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 10 nC @ 5 V | ±16V | 350 pF @ 25 V | - | 42.8W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STS3P6F6MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 3A (Tj) | 10V | 160mOhm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 6.4 nC @ 10 V | ±20V | 340 pF @ 48 V | - | 2.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
STP6NB90MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerMESH™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 5.8A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 250µA | 55 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF @ 25 V | - | 135W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STP40N20MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 40A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 75 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 25 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STB80NE03L-06T4MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 nC @ 5 V | ±20V | 6500 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
STI33N60M2MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 26A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 45.5 nC @ 10 V | ±25V | 1781 pF @ 100 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
STW26N65DM2MOSFET N-CH 650V 20A TO247 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 35.5 nC @ 10 V | ±25V | 1480 pF @ 100 V | - | 170W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
STF12NM50NMOSFET N-CH 500V 11A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 940 pF @ 50 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STP8NM60FPMOSFET N-CH 650V 8A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±30V | 400 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STB9NK70Z-1MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 7.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 4A, 10V | 4.5V @ 100µA | 68 nC @ 10 V | ±30V | 1370 pF @ 25 V | - | 115W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
