БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT070HU120G3AGHU3PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 30A (Tc) | 15V, 18V | 87mOhm @ 15A, 18V | 4.2V @ 1mA | 37 nC @ 18 V | +22V, -10V | 900 pF @ 850 V | - | 223W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | HU3PAK |
|
|
SCT040W120G3-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCTWA40N120G2VDISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 36A (Tc) | 18V | 100mOhm @ 20A, 18V | 4.9V @ 1mA | 61 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1233 pF @ 800 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
|
SCTWA40N120G2V-4DISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-247-4 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 36A (Tc) | 18V | 100mOhm @ 20A, 18V | 4.9V @ 1mA | 61 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1233 pF @ 800 V | - | 277W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
SCT040H120G3AGH2PAK-7 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40A (Tc) | 15V, 18V | 54mOhm @ 16A, 18V | 4.2V @ 5mA | 54 nC @ 18 V | +18V, -5V | 1329 pF @ 800 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-7 |
|
|
SCT040HU120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCTWA40N12G24AGTO247-4 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 33A (Tc) | 18V | 105mOhm @ 20A, 18V | 5V @ 1mA | 63 nC @ 18 V | +22V, -10V | 1230 pF @ 800 V | - | 290W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
SCT025H120G3-7SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCT020W120G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCT020HU120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
