БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP80N600K6N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP., STMicroelectronics |
20 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 7A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3A, 10V | 4V @ 100µA | 10.7 nC @ 10 V | ±30V | 540 pF @ 400 V | - | 86W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STO24N60M6DISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerSFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 8.5A, 10V | 4.75V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±25V | 960 pF @ 100 V | - | 142W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TOLL (HV) |
|
|
SGT120R65AL650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 15A (Tc) | 6V | 120mOhm @ 5A, 6V | 2.6V @ 12mA | 3 nC @ 6 V | +6V, -10V | 125 pF @ 400 V | - | 192W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) HV |
|
|
SCT070H120G3-7SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
STW70N65DM6-4MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 68A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 34A, 10V | 4.75V @ 250µA | 125 nC @ 10 V | ±25V | 4900 pF @ 100 V | - | 450W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
|
|
SCT040W65G3-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
STWA65N045M9N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 54A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 28A, 10V | 4.2V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 4610 pF @ 400 V | - | 312W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
|
SCT070W120G3-4AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCT070H120G3AGH2PAK-7 STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 30A (Tc) | 15V, 18V | 87mOhm @ 15A, 18V | 4.2V @ 1mA | 37 nC @ 18 V | +18V, -5V | 900 pF @ 850 V | - | 223W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | H2PAK-7 |
|
|
SCT070W120G3-4AGTO247-4 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 30A (Tc) | 15V, 18V | 87mOhm @ 15A, 18V | 4.2V @ 1mA | 41 nC @ 18 V | +18V, -5V | 900 pF @ 850 V | - | 236W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
