БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCT2120AFCSICFET N-CH 650V 29A TO220AB Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 29A (Tc) | 18V | 156mOhm @ 10A, 18V | 4V @ 3.3mA | 61 nC @ 18 V | +22V, -6V | 1200 pF @ 500 V | - | 165W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
RDD022N60TLMOSFET N-CH 600V 2A CPT3 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2A (Tc) | 10V | 6.7Ohm @ 1A, 10V | 4.7V @ 1mA | 7 nC @ 10 V | ±30V | 175 pF @ 25 V | - | 20W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CPT3 |
|
R8010ANXMOSFET N-CH 800V 10A TO220FM Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 10A (Tc) | 10V | 560mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 1mA | 62 nC @ 10 V | ±30V | 1750 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
R6020ENZ1C9MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 196mOhm @ 9.5A, 10V | 4V @ 1mA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
R6024ENZ1C9MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 24A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 11.3A, 10V | 4V @ 1mA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 1650 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
R6025FNZ1C9MOSFET N-CH 600V 25A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 25A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 12.5A, 10V | 5V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
R6030ENZ1C9MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 14.5A, 10V | 4V @ 1mA | 85 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
R6035ENZ1C9MOSFET N-CH 600V 35A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 35A (Tc) | 10V | 102mOhm @ 18.1A, 10V | 4V @ 1mA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2720 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
R6047ENZ1C9MOSFET N-CH 600V 47A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 47A (Tc) | 10V | 72mOhm @ 25.8A, 10V | 4V @ 1mA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 3850 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
R6076ENZ1C9MOSFET N-CH 600V 76A TO247 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 76A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 44.4A, 10V | 4V @ 1mA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 6500 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
