БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R5007ANJTLMOSFET N-CH 500V 7A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 7A (Ta) | 10V | 1.05Ohm @ 3.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 500 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R5009ANJTLMOSFET N-CH 500V 9A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Ta) | 10V | 720mOhm @ 4.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 21 nC @ 10 V | ±30V | 650 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R5011ANJTLMOSFET N-CH 500V 11A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 11A (Ta) | 10V | 500mOhm @ 5.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 30 nC @ 10 V | ±30V | 1000 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R5013ANJTLMOSFET N-CH 500V 13A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 13A (Ta) | 10V | 380mOhm @ 6.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1300 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R5016ANJTLMOSFET N-CH 500V 16A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 16A (Tc) | 10V | 270mOhm @ 8A, 10V | 4.5V @ 1mA | 50 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R5021ANJTLMOSFET N-CH 500V 21A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 21A (Tc) | - | 220mOhm @ 10.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 64 nC @ 10 V | - | 2300 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
R5205CNDTLMOSFET N-CH 525V 5A CPT3 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 525 V | 5A (Ta) | 10V | 1.6Ohm @ 2.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 10.8 nC @ 10 V | ±30V | 320 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CPT3 |
|
|
R5207ANDTLMOSFET N-CH 525V 7A CPT3 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 525 V | 7A (Ta) | 10V | 1Ohm @ 3.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 500 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CPT3 |
|
|
R6018ANJTLMOSFET N-CH 600V 18A LPTS Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 270mOhm @ 9A, 10V | 4.5V @ 1mA | 55 nC @ 10 V | ±30V | 2050 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
RCD060N25TLMOSFET N-CH 250V 6A CPT3 Rohm Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 6A (Tc) | 10V | 530mOhm @ 3A, 10V | 5V @ 1mA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 840 pF @ 25 V | - | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CPT3 |
