БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SK2463T100MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Rohm Semiconductor |
893 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-243AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 380mOhm @ 1A, 10V | 2.5V @ 1mA | - | ±20V | 200 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MPT3 |
|
RQ3E100MNTB1MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 Rohm Semiconductor |
5,261 | - |
|
- |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta) | 4.5V, 10V | 12.3mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 1mA | 9.9 nC @ 10 V | ±20V | 520 pF @ 15 V | - | 2W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
|
RQ3E130MNTB1MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 Rohm Semiconductor |
1,969 | - |
|
- |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 13A (Ta) | 4.5V, 10V | 8.1mOhm @ 13A, 10V | 2.5V @ 1mA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 840 pF @ 15 V | - | 2W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
RMW180N03TBMOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP Rohm Semiconductor |
2,415 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Cut Tape (CT) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
RQ1A060ZPTRMOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 Rohm Semiconductor |
11,921 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 6A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 23mOhm @ 6A, 4.5V | 1V @ 1mA | 34 nC @ 4.5 V | ±10V | 2800 pF @ 6 V | - | 700mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT8 |
|
RCJ120N25TLMOSFET N-CH 250V 12A LPT Rohm Semiconductor |
884 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 12A (Tc) | 10V | 235mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 1mA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 107W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
RT1A050ZPTRMOSFET P-CH 12V 5A 8TSST Rohm Semiconductor |
7,982 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 5A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 26mOhm @ 5A, 4.5V | 1V @ 1mA | 34 nC @ 4.5 V | ±10V | 2800 pF @ 6 V | - | 600mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-TSST |
|
ZDX050N50MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM Rohm Semiconductor |
177 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 4.4V @ 1mA | 14 nC @ 10 V | ±30V | 600 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R5009ANXMOSFET N-CH 500V 9A TO220 Rohm Semiconductor |
484 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 10V | 720mOhm @ 4.5A, 10V | 4.5V @ 1mA | 21 nC @ 10 V | ±30V | 650 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
RQ1A070ZPTRMOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 Rohm Semiconductor |
5,232 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 7A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 12mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 1mA | 58 nC @ 4.5 V | ±10V | 7400 pF @ 6 V | - | 700mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT8 |
