БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RSR015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 Rohm Semiconductor |
5,791 | - |
|
Таблицы данных |
- | SC-96 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.5A (Ta) | 4V, 10V | 235mOhm @ 1.5A, 10V | - | 2.6 nC @ 5 V | ±20V | 190 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | - | - | - | Surface Mount | TSMT3 |
|
RRQ030P03TRMOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 Rohm Semiconductor |
1,722 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3A (Ta) | 4V, 10V | 75mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 1mA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 480 pF @ 10 V | - | 600mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
RND030N20TLMOSFET N-CH 200V 3A CPT3 Rohm Semiconductor |
2,863 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 3A (Tc) | 10V | 870mOhm @ 1.5A, 10V | 5.2V @ 1mA | 6.7 nC @ 10 V | ±30V | 270 pF @ 25 V | - | 850mW (Ta), 20W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CPT3 |
|
RZL025P01TRMOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 Rohm Semiconductor |
2,950 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 2.5A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 61mOhm @ 2.5A, 4.5V | 1V @ 1mA | 13 nC @ 4.5 V | ±10V | 1350 pF @ 6 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT6 |
|
|
RTR030P02TLMOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 Rohm Semiconductor |
2,861 | - |
|
Таблицы данных |
- | SC-96 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 75mOhm @ 3A, 4.5V | 2V @ 1mA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±12V | 840 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT3 |
|
RTF010P02TLMOSFET P-CH 20V 1A TUMT3 Rohm Semiconductor |
2,391 | - |
|
Таблицы данных |
- | 3-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 390mOhm @ 1A, 4.5V | 2V @ 1mA | 2.1 nC @ 4.5 V | ±12V | 150 pF @ 10 V | - | 800mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT3 |
|
|
RSR025P03TLMOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 Rohm Semiconductor |
2,650 | - |
|
Таблицы данных |
- | SC-96 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2.5A (Ta) | 4V, 10V | 98mOhm @ 2.5A, 10V | - | 5.4 nC @ 5 V | ±20V | 460 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT3 |
|
US5U3TRMOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Rohm Semiconductor |
2,539 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD (5 Leads), Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.2 nC @ 4.5 V | 12V | 80 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT5 |
|
|
RTQ035N03TRMOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 Rohm Semiconductor |
649 | - |
|
- |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 54mOhm @ 3.5A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 6.4 nC @ 4.5 V | ±12V | 285 pF @ 10 V | - | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
RRH050P03GZETBMOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC Rohm Semiconductor |
373 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Cut Tape (CT) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 5A (Ta) | 4V, 10V | 50mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 17 nC @ 5 V | ±20V | 850 pF @ 10 V | - | 650mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOP |
