БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6018JNJGTLMOSFET N-CH 600V 18A LPTS Rohm Semiconductor |
502 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 15V | 286mOhm @ 9A, 15V | 7V @ 4.2mA | 42 nC @ 15 V | ±30V | 1300 pF @ 100 V | - | 220W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
R6520ENZ4C13650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER Rohm Semiconductor |
1,153 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 9.5A, 10V | 4V @ 630µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 231W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247G |
|
|
RSJ550N10TLMOSFET N-CH 100V 55A LPTS Rohm Semiconductor |
886 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 55A (Ta) | 4V, 10V | 16.8mOhm @ 27.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 143 nC @ 10 V | ±20V | 6150 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
RCJ331N25TL250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO Rohm Semiconductor |
1,990 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 33A (Tc) | 10V | 105mOhm @ 16.5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 4500 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 211W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263S |
|
|
RCJ451N20TL200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO Rohm Semiconductor |
986 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 45A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 22.5A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 4200 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 211W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263S |
|
R6524KNX3C16650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Rohm Semiconductor |
118 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 11.3A, 10V | 5V @ 750µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 25 V | - | 253W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
RJ1G12BGNTLLMOSFET N-CH 40V 120A LPTL Rohm Semiconductor |
664 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.86mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 2mA | 165 nC @ 10 V | ±20V | 12500 pF @ 20 V | - | 178W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTL |
|
R6020KNXC7G600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Rohm Semiconductor |
769 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 196mOhm @ 9.5A, 10V | 5V @ 1mA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1550 pF @ 25 V | - | 68W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
R6024VNXC7G600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT Rohm Semiconductor |
1,070 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Tc) | 10V, 15V | 153mOhm @ 6A, 15V | 6.5V @ 700µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 100 V | - | 70W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R8008ANJFRGTLMOSFET N-CH 800V 8A LPTS Rohm Semiconductor |
970 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 8A (Tc) | 10V | 1.03Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 1mA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF @ 25 V | - | 195W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | LPTS |
