БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6011KND3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Rohm Semiconductor |
2,468 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 390mOhm @ 3.8A, 10V | 5V @ 1mA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF @ 25 V | - | 124W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
R6011END3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Rohm Semiconductor |
300 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 390mOhm @ 3.8A, 10V | 4V @ 1mA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF @ 25 V | - | 124W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
RD3P08BBDTLMOSFET N-CH 100V 80A TO252 Rohm Semiconductor |
9,410 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 80A (Tc) | 6V, 10V | 11.6mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 1mA | 37 nC @ 10 V | ±20V | 1940 pF @ 50 V | - | 119W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
R6009ENXC7G600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Rohm Semiconductor |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 9A (Ta) | 10V | 535mOhm @ 2.8A, 10V | 4V @ 1mA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 430 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R6009KNXC7G600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Rohm Semiconductor |
547 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 9A (Ta) | 10V | 535mOhm @ 2.8A, 10V | 5V @ 1mA | 16.5 nC @ 10 V | ±20V | 540 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R6535KNZC17MOSFET N-CH 650V 35A TO3 Rohm Semiconductor |
280 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 35A (Tc) | 10V | 115mOhm @ 18.1A, 10V | 5V @ 1.21mA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 102W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
.jpg)
|
RS3L140GNGZETBNCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14 Rohm Semiconductor |
2,490 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 14A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 14A, 10V | 2.7V @ 500µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 2980 pF @ 30 V | - | 1.4W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOP |
|
R6530KNXC7G650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Rohm Semiconductor |
884 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 14.5A, 10V | 5V @ 960µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 2350 pF @ 25 V | - | 86W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
R6530ENXC7G650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW Rohm Semiconductor |
713 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 30A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 14.5A, 10V | 4V @ 960µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 25 V | - | 86W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
|
RSJ301N10TLNCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3 Rohm Semiconductor |
466 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 30A (Ta) | 4V, 10V | 46mOhm @ 15A, 10V | 2.5V @ 1mA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 25 V | - | 50W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263S |
