БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP10N20MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 10A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 250µA | 18 nC @ 10 V | ±30V | 670 pF @ 25 V | - | 87W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQPF30N06MOSFET N-CH 60V 21A TO220F onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 21A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 10.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 945 pF @ 25 V | - | 39W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FQB12P10TMMOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 11.5A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 5.75A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±30V | 800 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
FQP5N60CMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4.5A (Tc) | 10V | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±30V | 670 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDW254PMOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOP onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 9.2A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 12mOhm @ 9.2A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 96 nC @ 4.5 V | ±8V | 5878 pF @ 10 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-TSSOP |
|
|
FDW252PMOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 8.8A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 66 nC @ 4.5 V | ±12V | 5045 pF @ 10 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-TSSOP |
|
HUF75321D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 20A (Tc) | 10V | 36mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 20 V | ±20V | 680 pF @ 25 V | - | 93W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
HUF75321D3MOSFET N-CH 55V 20A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 20A (Tc) | 10V | 36mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 20 V | ±20V | 680 pF @ 25 V | - | 93W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
FQB17P06TMMOSFET P-CH 60V 17A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 17A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±25V | 900 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
FQP19N10MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 19A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 9.5A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 780 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
