БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD12P10TMMOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9.4A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±30V | 800 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
FQB5P20TMMOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 4.8A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 2.4A, 10V | 5V @ 250µA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 430 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
HUF76609D3SMOSFET N-CH 100V 10A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Tc) | 4.5V, 10V | 160mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 16 nC @ 10 V | ±16V | 425 pF @ 25 V | - | 49W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
|
FQD30N06TFMOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 22.7A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 11.4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±25V | 945 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
HUF75307T3STMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 2.6A (Ta) | 10V | 90mOhm @ 2.6A, 10V | 4V @ 250µA | 17 nC @ 20 V | ±20V | 250 pF @ 25 V | - | 1.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-4 |
|
|
FQB5P10TMMOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4.5A (Tc) | 10V | 1.05Ohm @ 2.25A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
FQB7P06TMMOSFET P-CH 60V 7A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 7A (Tc) | 10V | 410mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 nC @ 10 V | ±25V | 295 pF @ 25 V | - | 3.75W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
HUF76407P3MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3 onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 13A (Tc) | 4.5V, 10V | 92mOhm @ 13A, 10V | 3V @ 250µA | 11.3 nC @ 10 V | ±16V | 350 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FQD30N06LTMMOSFET N-CH 60V 24A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Tc) | 5V, 10V | 39mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±20V | 1040 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
FQB3P20TMMOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.8A (Tc) | 10V | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | 5V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
