БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT80F60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 84A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 60A, 10V | 5V @ 2.5mA | 598 nC @ 10 V | ±30V | 23994 pF @ 25 V | - | 961W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APL602JMOSFET N-CH 600V 43A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 43A (Tc) | 12V | 125mOhm @ 21.5A, 12V | 4V @ 2.5mA | - | ±30V | 9000 pF @ 25 V | - | 565W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT100F50JMOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 103A (Tc) | 10V | 36mOhm @ 75A, 10V | 5V @ 5mA | 620 nC @ 10 V | ±30V | 24600 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT60M75JFLLMOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 58A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 29A, 10V | 5V @ 5mA | 195 nC @ 10 V | ±30V | 8930 pF @ 25 V | - | 595W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT10026L2LLGMOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 38A (Tc) | - | 260mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 5mA | 267 nC @ 10 V | - | 7114 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 264 MAX™ [L2] |
|
|
APT34M120JMOSFET N-CH 1200V 35A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 35A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 2.5mA | 560 nC @ 10 V | ±30V | 18200 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
|
APT45M100JMOSFET N-CH 1000V 45A SOT227 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 45A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 2.5mA | 570 nC @ 10 V | ±30V | 18500 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
|
APT10M07JVFRMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 225A (Tc) | - | 7mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 1050 nC @ 10 V | - | 21600 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT60M75JLLMOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 58A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 29A, 10V | 5V @ 5mA | 195 nC @ 10 V | ±30V | 8930 pF @ 25 V | - | 595W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT12057JFLLMOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 19A (Tc) | - | 570mOhm @ 9.5A, 10V | 5V @ 2.5mA | 185 nC @ 10 V | - | 5155 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
