БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT5024BLLGMOSFET N-CH 500V 22A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 22A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 1mA | 43 nC @ 10 V | ±30V | 1900 pF @ 25 V | - | 265W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT53N60BC6MOSFET N-CH 600V 53A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 53A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 25.8A, 10V | 3.5V @ 1.72mA | 154 nC @ 10 V | ±20V | 4020 pF @ 25 V | - | 417W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT5024BFLLGMOSFET N-CH 500V 22A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 22A (Tc) | - | 240mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 1mA | 43 nC @ 10 V | - | 1900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
APT17F80SMOSFET N-CH 800V 18A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 18A (Tc) | 10V | 580mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 122 nC @ 10 V | ±30V | 3757 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT1003RBLLGMOSFET N-CH 1000V 4A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 4A (Tc) | 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 1mA | 34 nC @ 10 V | ±30V | 694 pF @ 25 V | - | 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT14F100SMOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 14A (Tc) | 10V | 980mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 3965 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT5024SLLGMOSFET N-CH 500V 22A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 22A (Tc) | - | 240mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 1mA | 43 nC @ 10 V | - | 1900 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT10M25BVRGMOSFET N-CH 100V 75A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 75A (Tc) | - | 25mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 225 nC @ 10 V | - | 5160 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT1003RSLLGMOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 4A (Tc) | - | 3Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 1mA | 34 nC @ 10 V | - | 694 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT17F100BMOSFET N-CH 1000V 17A TO247 Microchip Technology |
1 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 17A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 4845 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
