БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSC090SMA070SAMOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263- Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 25A (Tc) | 20V | 115mOhm @ 15A, 20V | 2.4V @ 750µA | 38 nC @ 20 V | +23V, -10V | 785 pF @ 700 V | - | 91W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
|
APT30F50SMOSFET N-CH 500V 30A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 30A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 1mA | 115 nC @ 10 V | ±30V | 4525 pF @ 25 V | - | 415W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
APT38N60BC6MOSFET N-CH 600V 38A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 38A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 18A, 10V | 3.5V @ 1.2mA | 112 nC @ 10 V | ±20V | 2826 pF @ 25 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
APT7M120SMOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 8A (Tc) | 10V | 2.1Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 1mA | 80 nC @ 10 V | ±30V | 2565 pF @ 25 V | - | 335W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT18M80BMOSFET N-CH 800V 19A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 19A (Tc) | 10V | 530mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 3760 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
MSC180SMA120SAMOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26 Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab) | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 21A (Tc) | 20V | 225mOhm @ 8A, 20V | 3.26V @ 500µA | 34 nC @ 20 V | +23V, -10V | 510 pF @ 1000 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
|
|
APT14M100BMOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 14A (Tc) | 10V | 900mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 3965 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT17F80BMOSFET N-CH 800V 18A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 18A (Tc) | 10V | 580mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 122 nC @ 10 V | ±30V | 3757 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT37F50SMOSFET N-CH 500V 37A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 37A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 1mA | 145 nC @ 10 V | ±30V | 5710 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT14M100SMOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 14A (Tc) | 10V | 880mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 3965 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
