БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT5010LLLGMOSFET N-CH 500V 46A TO264 Microchip Technology |
30 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 46A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 95 nC @ 10 V | ±30V | 4360 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT5010B2FLLGMOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Microchip Technology |
40 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 46A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 95 nC @ 10 V | ±30V | 4360 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT5010LFLLGMOSFET N-CH 500V 46A TO264 Microchip Technology |
43 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 46A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 95 nC @ 10 V | ±30V | 4360 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT38F80LMOSFET N-CH 800V 41A TO264 Microchip Technology |
27 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 41A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 20A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260 nC @ 10 V | ±30V | 8070 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
|
APT38F80B2MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Microchip Technology |
26 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 Variant | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 41A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 20A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260 nC @ 10 V | ±30V | 8070 pF @ 25 V | - | 1040W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | T-MAX™ [B2] |
|
|
APT12060LVRGMOSFET N-CH 1200V 20A TO264 Microchip Technology |
30 | - |
|
- |
POWER MOS V® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 20A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 2.5mA | 650 nC @ 10 V | ±30V | 9500 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (L) |
|
|
APT28M120LMOSFET N-CH 1200V 29A TO264 Microchip Technology |
22 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 29A (Tc) | 10V | 530mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 1135W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT1201R2BLLGMOSFET N-CH 1200V 12A TO247 Microchip Technology |
16 | - |
|
- |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 12A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 6A, 10V | 5V @ 1mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 3100 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
APT51F50JMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP Microchip Technology |
22 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 51A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | 5V @ 2.5mA | 290 nC @ 10 V | ±30V | 11600 pF @ 25 V | - | 480W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT5010JLLU2MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 Microchip Technology |
31 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 41A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 96 nC @ 10 V | ±30V | 4360 pF @ 25 V | - | 378W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 |
