БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSC017SMA120JMOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227 Microchip Technology |
17 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Bulk | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 88A (Tc) | 20V | 22mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 4.5mA (Typ) | 249 nC @ 20 V | +23V, -10V | 5280 pF @ 1000 V | - | 278W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - | SOT-227 |
|
MSC100SM70JCU3SICFET N-CH 700V 124A SOT227 Microchip Technology |
14 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 124A (Tc) | 20V | 19mOhm @ 40A, 20V | 2.4V @ 4mA | 215 nC @ 20 V | +25V, -10V | 4500 pF @ 700 V | - | 365W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
|
|
MSC70SM120JCU2SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227 Microchip Technology |
24 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 89A (Tc) | 20V | 31mOhm @ 40A, 20V | 2.8V @ 1mA | 232 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3020 pF @ 1000 V | - | 395W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
|
APT50M50JVFRMOSFET N-CH 500V 77A ISOTOP Microchip Technology |
6 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 77A (Tc) | - | 50mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 1000 nC @ 10 V | - | 19600 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
MSC130SM120JCU3SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227 Microchip Technology |
18 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 173A (Tc) | 20V | 16mOhm @ 80A, 20V | 2.8V @ 2mA | 464 nC @ 20 V | +25V, -10V | 6040 pF @ 1000 V | - | 745W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
|
|
MSCSM120DAM31CTBL1NGPM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 Microchip Technology |
23 | - |
|
Таблицы данных |
- | Module | Bulk | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 79A | 20V | 31mOhm @ 40A, 20V | 2.8V @ 1mA | 232 nC @ 20 V | +25V, -10V | 3020 pF @ 1000 V | - | 310W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | - |
|
MSC060SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4 Microchip Technology |
50 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 39A (Tc) | 20V | 75mOhm @ 20A, 20V | 2.4V @ 1mA | 56 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1175 pF @ 700 V | - | 143W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
|
APT14M120SMOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK Microchip Technology |
47 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 14A (Tc) | 10V | 1.1Ohm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 145 nC @ 10 V | ±30V | 4765 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
APT6029BLLGMOSFET N-CH 600V 21A TO247 Microchip Technology |
63 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 21A (Tc) | - | 290mOhm @ 10.5A, 10V | 5V @ 1mA | 65 nC @ 10 V | - | 2615 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT34M60SMOSFET N-CH 600V 36A D3PAK Microchip Technology |
46 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 36A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 17A, 10V | 5V @ 1mA | 165 nC @ 10 V | ±30V | 6640 pF @ 25 V | - | 624W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
