БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFU8403-701TRLAUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET International Rectifier |
7,680 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 3.1mOhm @ 76A, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 nC @ 10 V | ±20V | 3171 pF @ 25 V | - | 99W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO251-3-901 |
|
IRF7483MTRPBFMOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET International Rectifier |
12,511 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | DirectFET™ Isometric MF | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 135A (Tc) | 6V, 10V | 2.3mOhm @ 81A, 10V | 3.9V @ 100µA | 81 nC @ 10 V | ±20V | 3913 pF @ 25 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric MF |
|
IRL6283MTRPBFDIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET International Rectifier |
4,800 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | DirectFET™ Isometric MD | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 38A (Ta), 211A (Tc) | 2.5V, 4.5V | 0.75mOhm @ 50A, 10V | 1.1V @ 100µA | 158 nC @ 4.5 V | ±12V | 8292 pF @ 10 V | - | 2.1W (Ta), 63W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MD |
|
IRF234N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET International Rectifier |
589 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 8.4A | - | - | - | - | - | - | - | 74W | - | - | - | Through Hole | TO-204AA (TO-3) |
|
AUIRFU8405MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK International Rectifier |
510 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 10V | 1.98mOhm @ 90A, 10V | 3.9V @ 100µA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 5171 pF @ 25 V | - | 163W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
AUIRFR2905ZTRMOSFET N-CH 55V 42A DPAK International Rectifier |
10,000 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | - | 14.5mOhm @ 36A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1380 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | DPAK |
|
AUIRF9540NAUTOMOTIVE POWER MOSFET International Rectifier |
4,810 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 23A (Tc) | 10V | 117mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 97 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220 |
|
AUIRFR3504AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL International Rectifier |
10,141 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 56A (Tc) | 10V | 9.2mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±20V | 2150 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRF6713STRPBFMOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT International Rectifier |
2,745 | - |
|
Таблицы данных |
DirectFET™ | DirectFET™ Isometric SQ | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 22A (Ta), 95A (Tc) | - | 3mOhm @ 22A, 10V | 2.4V @ 50µA | 32 nC @ 4.5 V | ±20V | 2880 pF @ 13 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric SQ |
|
AUIRL2203NAUTOMOTIVE N-CHANNEL International Rectifier |
2,521 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V | 1V @ 250µA | 60 nC @ 4.5 V | ±16V | 3290 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
