JFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Напряжение - Пробой (V(BR)GSS) Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Ток стока (Id) - Макс. Напряжение - Отсечка (VGS выкл.) @ Id Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Сопротивление - RDS(on) Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка




















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Напряжение - Пробой (V(BR)GSS) Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Ток стока (Id) - Макс. Напряжение - Отсечка (VGS выкл.) @ Id Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Сопротивление - RDS(on) Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MQ2N2608

    MQ2N2608

    JFET P-CH 30V 5MA TO18

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V - 1 mA @ 5 V 5 mA 6 V @ 1 µA 10pF @ 5V - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/295 Through Hole TO-18 (TO-206AA)
    MQ2N2609

    MQ2N2609

    JFET P-CH 30V TO18

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 30 V 2 mA @ 5 V - 750 mV @ 1 µA 10pF @ 5V - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole TO-18 (TO-206AA)
    2N2608UB/TR

    2N2608UB/TR

    JFET P-CH 30V UB

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active P-Channel 30 V - 1 mA @ 5 V - 750 mV @ 1 µA 10pF @ 5V - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - - Surface Mount UB
    2N2608UB

    2N2608UB

    JFET P-CH 30V UB

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    - 3-SMD, No Lead Bulk Active P-Channel 30 V - 1 mA @ 5 V - 750 mV @ 1 µA 10pF @ 5V - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - - Surface Mount UB
    MX2N5114

    MX2N5114

    JFET P-CH 30V TO18

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    MX2N5114

    Таблицы данных

    - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 30 V 90 mA @ 18 V - 10 V @ 1 nA 25pF @ 15V 75 Ohms 500 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military MIL-PRF-19500 Through Hole TO-18 (TO-206AA)
    MV2N5115

    MV2N5115

    JFET P-CH 30V TO18

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 30 V 15 mA @ 15 V - 3 V @ 1 nA 25pF @ 15V 100 Ohms 500 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military MIL-PRF-19500 Through Hole TO-18 (TO-206AA)
    MV2N4391UB

    MV2N4391UB

    JFET N-CH

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    MV2N4392UB

    MV2N4392UB

    JFET N-CH

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    MV2N4393UB

    MV2N4393UB

    JFET N-CH

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    MV2N4391UB/TR

    MV2N4391UB/TR

    JFET

    Microchip Technology

    0
    RFQ

    -

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - -
    Общий 208 Записывать«Предыдущая1... 910111213141516...21Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ