Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBRB1045HM3/IDIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Schottky | 45 V | 10A | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 45 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) | -65°C ~ 150°C |
![]() |
FESB16DT-M3/IDIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Standard | 200 V | 16A | 975 mV @ 16 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 35 ns | 10 µA @ 200 V | 175pF @ 4V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) | -65°C ~ 150°C |
![]() |
MBRB1045-M3/IDIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | Schottky | 45 V | 10A | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 100 µA @ 45 V | - | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) | -65°C ~ 150°C |
![]() |
VS-100BGQ030-N4DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Bulk | Active | Schottky | 30 V | 100A | 630 mV @ 100 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 2.4 mA @ 30 V | 3800pF @ 5V, 1MHz | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 150°C |
![]() |
VS-150EBU04HN4DIODE GP 400V 150A POWERTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Tube | Active | Standard | 400 V | 150A | 1.3 V @ 150 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 93 ns | 50 µA @ 400 V | - | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 175°C |
![]() |
VS-175BGQ030-N4DIODE SCHOTTKY 30V 175A POWIRTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Bulk | Active | Schottky | 30 V | 175A | 590 mV @ 175 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 4.8 mA @ 30 V | 8500pF @ 5V, 1MHz | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 150°C |
![]() |
VS-150EBU04-N4DIODE GP 400V 150A POWIRTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Bulk | Active | Standard | 400 V | 150A | 1.3 V @ 150 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 60 ns | 50 µA @ 400 V | - | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 175°C |
![]() |
VS-175BGQ045-N4DIODE SCHOTTKY 45V 175A POWIRTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Bulk | Active | Schottky | 45 V | 175A | 750 mV @ 175 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 2 mA @ 45 V | 5600pF @ 5V, 1MHz | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 150°C |
![]() |
VS-80EBU02HN4DIODE GEN PURP 200V 80A POWERTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Tube | Active | Standard | 200 V | 80A | 1.1 V @ 80 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 40 ns | 50 µA @ 200 V | - | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 175°C |
![]() |
VS-80EBU04-N4DIODE GEN PURP 400V 80A POWIRTAB Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | PowerTab® | Bulk | Active | Standard | 400 V | 80A | 1.3 V @ 80 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 87 ns | 50 µA @ 400 V | - | - | - | Through Hole | PowerTab® | -55°C ~ 175°C |