Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRD3CH11DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IRD3CH16DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IRD3CH24DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IRD3CH31DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IRD3CH53DB6DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | Die | Bulk | Obsolete | Standard | 1200 V | 100A | 2.7 V @ 100 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 270 ns | 20 µA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | Die | -40°C ~ 150°C |
![]() |
IRD3CH53DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IRD3CH5DB6DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | Die | Bulk | Obsolete | Standard | 1200 V | 5A | 2.7 V @ 5 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 96 ns | 100 nA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | Die | -40°C ~ 150°C |
![]() |
IRD3CH82DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IRD3CH9DB6DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | Die | Bulk | Obsolete | Standard | 1200 V | 10A | 2.7 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 154 ns | 200 nA @ 1200 V | - | - | - | Surface Mount | Die | -40°C ~ 150°C |
![]() |
IRD3CH9DF6DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED Infineon Technologies |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |